esdb3v3c ... esdb24c esdb3v3c ... esdb24c esd protection diodes in smd esd-schutzd ioden in smd p ppm = 200 ... 350 w t jmax = 150c v wm = 3.3v...24 v v brmin = 5.8v...25.4 v v pp = 23 ... 30 kv version 2018-09-04 sot-23 (to-236) dimensions - ma?e [mm] typical applications esd protection data line and i/o port protection commercial grade suffix -q: aec-q101 compliant 1 ) suffix -aq: in aec-q101 qualification 1 ) typische anwendungen esd-schutz schutz von datenleitungen und ein-/ausg?ngen standardausfhrung suffix -q: aec-q101 konform 1 ) suffix -aq: in aec-q101 qualifikation 1 ) features bidirectional clamping dual diode high peak pulse power compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten bidirektionales begrenzen doppeldiode hohe impulsfestigkeit konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 ) mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 3000 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.01 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 bidirectional bidirektional 1 = a11 2 = a22 3 = a12/a21 type code: see table next page siehe tabelle n?chste seite maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) peak pulse power dissipation (8/20 s waveform) 3 ) impuls-verlustleistung (8/20 s impuls) esdb3v3c...5v0c ESDB12C ... 24c/-q p ppm 350 w 200 w peak pulse power current (8/20 s waveform) 3 ) impuls-strom (8/20 s impuls) esdb3v3c esdb5v0c ESDB12C ... 15c esdb24c/-q i ppm 15 a 13 a 5 a 3 a esd immunity (contact discharge) iec 61000-4-2 esd-festigkeit (kontaktentladung) esdb3v3c...15c esdb24c/-q v pp 30 kv 23 kv junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -55...+150c -55...+150c 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t a = 25c and per diode, unless otherwise specified t a = 25c und pro diode, wenn nicht anders angegeben 3 non-repetitive pulse see curve i pp = f (t) / p pp = f (t) h?chstzul?ssiger spitzenwert eines einmaligen impulses, siehe kurve i pp = f (t) / p pp = f (t) ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s 2 . 4 1 . 3 0 . 1 1.1 +0.1 0.4 +0.1 2.9 0.1 1 2 3 type code 1.9 0.1 -0.05 -0.2 0 . 2 2 1 3
esdb3v3c ... esdb24c characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) type code junction capacitance sperrschichtkapazit?t v r = 0 v, f = 1 mhz stand-off voltage sperrspannung max. rev. current max. sperrstrom at / bei v wm breakdown voltage abbruch-spannung i t = 1 ma max. clamping voltage max. begrenzer-spannung at / bei i pp (8/20 s) c j [pf] v wm [v] i d [a] v br [v] v c [v] i pp [a] esdb3v3c s3 typ. 101 3.3 2 5.8 ... 6.9 8 26 1 15 esdb5v0c t3 typ. 75 5 1 7 ... 8.2 10 28 1 13 ESDB12C u3 typ. 19 12 0.05 14.2 ... 16.7 20 37 1 5 esdb15c v3 typ. 16 15 0.05 17.1 ... 20.3 25 44 1 5 esdb24c/-q w3 typ. 11 24 0.05 25.4 ... 30.3 40 70 1 3 disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 ) 1 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 8/20s - pulse waveform 8/20s - impulsform i pp p pp 100 80 60 40 20 0 0 t 20 40 60 [s] [%] t p i /2 ppm p /2 ppm t = 8 s r 120 100 80 60 40 20 0 [%] p pp [c] t a 150 100 50 0 i pp peak pulse power/current vs. ambient temperature ) 1 impuls-spitzenleistung/strom vs. umgebungstemp. ) 1
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